HOT CARRIERS IN TUNNEL DIODE
S. Ašmontas^a,b, J. Gradauskas^a,c, J. Paukštė^b, V. Petkun^a, D. Seliuta^a, A. Sužiedėlis^a,c, E. Širmulis^a, and G. Valušis^a,c
aSemiconductor Physics Institute, A. Goštauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania
^bKaunas University of Technology, Panevėžys Institute, Klaipėdos 3, LT-35209 Panevėžys, Lithuania
^cVilnius Gediminas Technical University, Saulėtekio 11, LT-10223 Vilnius, Lithuania
E-mail: jonas@pfi.lt

Received 27 January 2004

We present the first results of experimental study of free carrier heating in a degenerate semiconductor when the carriers were excited by CO₂ laser light and microwave radiation of 10 and 35 GHz. Tunnel GaAs p−n diodes were used as objects under investigation. It is shown that the carrier heating reduces the dark tunnel current, while at high enough forward bias the thermo-diffusive current is responsible for the formation of the signal. The magnitude of the electromotive force arising under the microwave irradiation depends linearly on the power and increases with the decrease of the semiconductor lattice temperature. It is nearly independ of the microwave frequency.

KARŠTIEJI KRŪVININKAI TUNELINIAME DIODE
S. Ašmontas^a,b, J. Gradauskas^a,c, J. Paukštė^b, V. Petkun^a, D. Seliuta^a, A. Sužiedėlis^a,c, E. Širmulis^a, G. Valušis^a,c
aPuslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva
^bKauno technologijos universitetas, Panevėžio institutas, Panevėžys, Lietuva
^cVilniaus Gedimino technikos universitetas, Vilnius, Lietuva

Pateikti pirmi laisvųjų krūvininkų kaitimo eksperimentinių tyrimų rezultatai, krūvininkus sužadinant tiek CO₂ lazerio spinduliuote, tiek ir 10 bei 35 GHz dažnio mikrobagomis. Tyrimams buvo naudojami tuneliniai GaAs p−n diodai. Parodyta, kad krūvininkų kaitimas silpnina tamsinę tunelinę srovę, o esant pakankamai didelei išorinei tiesioginei įtampai, matuojamąjį signalą nulemia šiluminė-difuzinė srovė. Elektrovaros, atsirandančios paveikus diodą mikrobangomis, stiprumas yra tiesiogiai proporcingas spinduliuotės galiai ir didėja, žeminant puslaidininkio kristalinės gardelės temperatūrą, tuo tarpu jis beveik nepriklauso nuo mikrobangų dažnio.