[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.44509
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 44, 381–388 (2004)
TWO MECHANISMS OF DIAMOND PHASE
FORMATION DURING MAGNETRON SPUTTER DEPOSITION OF AMORPHOUS
CARBON FILMS
A. Galdikasa,b and A. Ibenskasa
aPhysics Department, Kaunas University of
Technology, Studentų 50, LT-51368 Kaunas, Lithuania
bDepartment of Physics, Mathematics and
Biophysics, Kaunas University of Medicine, Eivenių 4, LT-3007
Kaunas, Lithuania
Received 26 May 2004
Dedicated to the 100th anniversary of Professor K. Baršauskas
The diamond phase formation mechanisms are
analysed by a new phenomenological model of deposition of
diamond-like carbon (DLC) films on Si(001) substrate. Experimental
observations that make base for this model are reviewed briefly.
Only the main processes, such as adsorption of carbon atoms on the
surface, formation of SiC, diamond, and graphite sites, are
assumed to take place. Compressive stress, induced by ion
subplantation, is regarded as a main factor causing the
transformation of graphite to diamond. Relationship between stress
and ion energy is given by Davis’ formula. According to this
model, dependences of film deposition rate versus time and
dependences of film composition versus film thickness are
calculated that are in agreement with experimental ones. Also, the
ratio of sp3/sp2 volume
fractions as a function of substrate bias voltage was calculated.
Modelling of experimental curves show that under conditions of
sputter deposition of DLC films there are at least two diamond
phase formation mechanisms: (i) on the surface during carbon
adsorption, and (ii) in the bulk of film by subplantation induced
graphite transition to lonsdaleite (hexagonal diamond).
Keywords: thin films, diamond deposition, carbon, magnetron
sputtering, kinetic modelling
PACS: 07.05.Tp, 81.05.Uw, 81.15.Aa
DU DEIMANTO FAZĖS SUSIDARYMO
MECHANIZMAI AMORFINĖS ANGLIES DANGŲ MAGNETRONINĖS SINTEZĖS METU
A. Galdikasa,b, A. Ibenskasa
aKauno technologijos universitetas, Kaunas, Lietuva
bKauno medicinos universitetas, Kaunas, Lietuva
Nagrinėti deimanto fazės susidarymo būdai bei
pateiktas deimanto tipo anglies dangų nusodinimo ant kristalinio
silicio padėklo fenomenologinis modelis. Trumpai apžvelgti
eksperimentiniai tyrimai, kuriais pagrįstas šis modelis. Įvertinti
svarbiausi dangos nusodinimo vyksmai: anglies atomų įgertis, SiC
kristalitų bei sp2 ir sp3
hibridizacijos anglies kristalitų susidarymas. Pagrindiniu
veiksniu, lemiančiu grafito virtimą deimantu dangos tūryje,
laikomi gniuždantys įtempiai, kuriuos sukelia joninis apšaudymas.
Įtempius su jonų energija sieja Davis’o formulė. Remiantis tokiu
modeliu, apskaičiuotos dangos storėjimo spartos priklausomybės nuo
laiko, kurios kokybiškai gerai sutampa su analogiškomis
eksperimentinėmis kreivėmis. Taip pat rastos dangos sudėties
(paviršiuje) priklausomybės nuo laiko, dangos sudėties (tūryje)
priklausomybės nuo gylio ir sp3/sp2
santykio priklausomybės nuo padėklo priešįtampio. Tų kreivių
palyginimas su storėjimo spartos kreive bei su eksperimentų
rezultatais leidžia daryti išvadą, kad deimanto fazė dangoje
susidaro dviem būdais: 1) vykstant anglies atomų įgerčiai
paviršiuje, 2) grafitui virstant deimantu dangos tūryje.
Pastebėta, kad danga storėja lėčiausiai, kai SiC kiekis paviršiuje
yra didžiausias, kadangi C atomai blogai įgeriami ant SiC.
Deimanto fazė gerai įgeria C atomus, todel dangos storėjimo
spartos ir sp3 ryšių koncentracijos maksimumai
stebimi maždaug tuo pačiu metu. Apskaičiuota sp3/sp2
santykio priklausomybė nuo padėklo priešįtampio turi maksimumą
ties −(50–60) V, kaip ir eksperimentinė kreivė.
References / Nuorodos
[1] D.R. McKenzie, Tetrahedral bonding in amorphous carbon, Rep.
Prog. Phys. 59, 1611–1664 (1996),
http://dx.doi.org/10.1088/0034-4885/59/12/002
[2] A.C. Ferrari, S.E. Rodil, J. Robertson, and W.I. Milne, Is
stress necessary to stabilise sp3 bonding in
diamond-like carbon?, Diamond Relat. Mater. 11, 994–999
(2002),
http://dx.doi.org/10.1016/S0925-9635(01)00705-1
[3] S. Logothetidis, P. Patsalas, M. Gioti, A. Galdikas, and L.
Pranevicius, Growth kinetics of sputtered amorphous carbon thin
films: Composition studies and phenomenological model, Thin Solid
Films 376, 56–66 (2000),
http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(00)01402-4
[4] A. Galdikas, S. Logothetidis, M. Gioti, P. Patsalas, and L.
Pranevicius, The kinetics of sputtered deposited carbon on silicon:
A phenomenological model, Diamond Relat. Mater. 8, 490–494
(1999),
http://dx.doi.org/10.1016/S0925-9635(98)00385-9
[5] M. Liao, F. Qin, J. Zhang, Z. Liu, S. Yang, and Z. Wang, Ion
bombardment as the initial stage of diamond film growth, J. Appl.
Phys. 89(3), 1983–1985 (2001),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1338997
[6] S. Zhang, H.T. Johnson, G.J. Wagner, W.K. Liu, and K.J. Hsia,
Stress generation mechanisms in carbon thin films grown by ion-beam
deposition, Acta Materialia 51, 5211–5222 (2003),
http://dx.doi.org/10.1016/S1359-6454(03)00385-9
[7] X.L. Peng, Z.H. Barber, and T.W. Clyne, Surface roughness of
diamond-like carbon films prepared using various techniques, Surf.
Coatings Technol. 138, 23–32 (2001),
http://dx.doi.org/10.1016/S0257-8972(00)01139-7
[8] Y. Lifshitz, S.R. Kasi, and J.W. Rabalais, Subplantation model
for film growth from hyperthermal species: Application to diamond,
Phys. Rev. Lett. 62(11), 1290–1293 (1989),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.62.1290
[9] Y. Lifshitz, S.R. Kasi, J.W. Rabalais, and W. Eckstein,
Subplantation model for film growth from hyperthermal species, Phys.
Rev. B 41(15), 10468–10480 (1990),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.41.10468
[10] J. Robertson, The deposition mechanism of diamond-like a-C and
a-C:H, Diamond Relat. Mater. 3, 361–368 (1994),
http://dx.doi.org/10.1016/0925-9635(94)90186-4
[11] C.A. Davis, A simple model for the formation of compressive
stress in thin films by ion bombardment, Thin Solid Films 226,
30–34 (1993),
http://dx.doi.org/10.1016/0040-6090(93)90201-Y
[12] P.J. Fallon, V.S. Veerasamy, C.A. Davis, J. Robertson, G.A.J.
Amaratunga, W.J. Milne, and J. Koskinen, Properties of
filtered-ion-beam-deposited diamondlike carbon as a function of ion
energy, Phys. Rev. B 48(7), 4777–4782 (1993),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.48.4777