INFLUENCE OF TEMPERATURE ON THE FORMATION OF ALTERED LAYER DURING SILICON ETCHING IN CF₂Cl₂ PLASMA
R. Knizikevičius and A. Grigonis
Department of Physics, Kaunas University of Technology, K. Donelaičio 73, LT-44029 Kaunas, Lithuania
E-mail: Rimantas.Knizikevicius@ktu.lt

Received 5 December 2003

Reactive ion etching of silicon in CF₂Cl₂ plasma is considered. During the experiment, silicon substrates are etched in CF₂Cl₂ plasma at temperatures of 320 and 390 K. Thickness of formed altered layers is measured using an X-ray photoelectron spectrometer. The thickness of the altered layer decreases with the increase in temperature. Extrapolation of experimentally measured concentrations of Si atoms in the altered layer is used to determine processes that influence the decrease of the thickness of the altered layer at a higher temperature. It is determined that the thickness of the altered layer decreases with the increase in temperature due to slowdown of the chemical reaction of CF₂ radicals with Si atoms and intensified desorption of formed SiF4 molecules.

TEMPERATŪROS ĮTAKA PAKEISTO SLUOKSNIO SUSIDARYMUI, ĖSDINANT SILICĮ CF₂Cl₂ PLAZMOJE
R. Knizikevičius, A. Grigonis
Kauno technologijos universitetas, Kaunas, Lietuva

Išnagrinėtas reaktyvus joninis silicio ėsdinimas CF₂Cl₂ plazmoje. Eksperimento metu silicio bandiniai ėsdinti CF₂Cl₂ plazmoje 320 ir 390 K temperatūroje. Susidariusių pakeistų sluoksnių storiai išmatuoti Röntgen’o fotoelektronų spektrometru. Pakeisto sluoksnio storis mažėja, didėjant temperatūrai. Eksperimentiškai išmatuotos Si atomų koncentracijos pakeistame sluoksnyje naudotos išaiškinti procesams, įtakojantiems pakeisto sluoksnio storio sumažėjimą aukštesnėje temperatūroje. Paaiškėjo, kad didėjant temperatūrai pakeisto sluoksnio storis mažėja dėl sulėtėjusios CF₂ radikalų reakcijos su Si atomais ir suintensyvėjusios susidariusių SiF₄ molekulių atvirkštinės gerties.