[PDF]    http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.45201

Open access article / Atviros prieigos straipsnis

Lith. J. Phys. 45, 77–80 (2005)


EFFECT OF COMPOSITION OF BARRIER LAYERS REGION ON POLARIZATION RADIATION CHARACTERISTICS OF QUANTUM-WELL HETEROLASER
A.G. Buikevich and I.S. Manak
Belarusian State University, F. Skaryna Ave 4, Minsk, 220050, Belarus
E-mail: buikevich@bsu.by

Received 30 March 2005

Effect of componental composition of quantum-well heterostructures’ barrier waveguide layers in GaAs–AlxGa1−xAs system on the polarization degree of spontaneous and stimulated radiations is investigated. It is shown, that given x at frequencies near the basic optical transitions, a spontaneous radiation polarization degree sign change occurs. In the oscillating mode, depending on a waveguide layer componental composition, the generation of the entirely polarized radiation of TE- or TM-type is possible.
Keywords: quantum-well heterolaser, polarization of radiation, gain, TE- and TM-modes
PACS: 78.45.+h, 73.21.Fg, 42.25.Ja


BARJERINIŲ SLUOKSNIŲ SRITIES SUDĖTIES ĮTAKA KVANTINIŲ DUOBIŲ HETEROLAZERIO SPINDULIUOTĖS POLIARIZACIJOS CHARAKTERISTIKOMS
A.G. Buikevich, I.S. Manak
Baltarusijos valstybinis universitetas, Minskas, Baltarusija

Tiriama kvantinių duobių heterosandarų barjerų bangolaidinių sluoksnių komponentinės sudėties įtaka savaiminės ir priverstinės spinduliuotės poliarizacijos laipsniui GaAs–AlxGa1−xAs sistemoje. Parodoma, kad fiksuotam x dažnių srityje, artimoje optiniams šuoliams, įvyksta savaiminės spinduliuotės poliarizacijos laipsnio ženklo pokytis. Priklausomai nuo bangolaidinių sluoksnių komponentinės sudėties, osciliuojančioje modoje yra galima visiškai poliarizuotos TE ar TM tipo spinduliuotės generacija.


References / Nuorodos

[1] M. Yamanishi and I. Suemune, Comment on polarisation dependent momentum matrix elements in quantum well lasers, Jpn. J. Appl. Phys. 23(1), L35–L36 (1984),
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.23.L35
[2] P.C. Sercel and K.J. Vahala, Polarization dependence of optical absorption and emission in quantum wires, Phys. Rev. B 44(11), 5681–5691 (1991),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.44.5681
[3] T. Tanaka, T. Yamauchi, J.N. Shulman, and Y. Arakawa, Cross sectional shape dependence of quantum wire band structures and optical matrix elements, Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 2 32(11A), L1592–L1595 (1993),
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.32.L1592
[4] A.A. Vitalisov and V.K. Kononenko, Polarization characteristics of quantum wire semiconductor emitters, in: Laser and Optico-Electronic Techniques, Issue 3 (BSU, Minsk, 1995), pp. 34–43 [in Russian]
[5] A.A. Afonenko, V.K. Kononenko, and I.S. Manak, Theory of Semiconductor Lasers (BSU, Minsk, 1995) [in Russian]
[6] V.K. Kononenko, I.S. Manak, S.V. Nalivko, V.A. Shevtsov, and D.S. Shulyaev, Gain and luminescence spectra of broadband emitters based on asymmetric quantum-well heterostructures, J. Appl. Spectrosc. 64(2), 234–241 (1997),
http://dx.doi.org/10.1007/BF02675148
[7] A.G. Buikevich, V.K. Kononenko, K.V. Kurnosov, and I.S. Manak, Polarization degree of quantum-well heterolaser radiation, in: Laser and Optico-Electronic Techniques, Issue 6 (BSU, Minsk, 2001), pp. 68–75 [in Russian].
[8] A.G. Buikevich, V.K. Kononenko, and I.S. Manak, Degree of polarization of radiation from a quantum-well heterolaser with a nonselective resonator, J. Appl. Spectrosc. 71(2), 209–214 (2004),
http://dx.doi.org/10.1023/B:JAPS.0000032876.92585.c0