EXCESS CARRIER DYNAMICS IN SiGe ULTRA-THIN LAYERS ^∗
E. Gaubas^a A. Uleckas^a, and E. Simoen^b
aInstitute of Materials Science and Applied Research, Vilnius University, Saulėtekio 10, LT-10223 Vilnius, Lithuania
E-mail: edmundas.gaubas@ff.vu.lt
^bIMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium

Received 22 September 2005

The excess carrier decay kinetics, measured by microwave absorption and reflection techniques in dislocations-rich strain-relaxed SiGe layered structures, are analyzed. The simultaneous recombination and multi-trapping processes were revealed and their parameters were extracted. The recombination lifetime decreases with threading dislocations density, while multi-trapping is characterized by a trapping coefficient > 10.

PERTEKLINIŲ KRŪVININKŲ DINAMIKA YPAČ PLONUOSE SiGe DARINIUOSE
E. Gaubas^a A. Uleckas^a, E. Simoen^b
aVilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva
^bIMEC, Leuven, Belgija

Ištirti daugiasluoksniai įtempto Si (SSi)-SiGe-C-SiGe buferinių sluoksnių 8–400 nm storio dariniai, sudaryti ant kristalinio Si padėklų, kaitaliojant buferinio sluoksnio storį 250–420 nm tarpe ir dislokacijų tankį juose. Tirta nesąlytiniais nenuostoviosios mikrobangų sugerties ir atspindžio metodais, kaitaliojant sužadinimo gylį ir palyginant padėklo bei aktyvaus sluoksnio paviršius. Pasiūlyti tinkamiausi parametrų išskyrimo režimai, derinant sužadinimo spektrinę sritį, intensyvumą ir impulsų trukmę. Atskleisti nepusiausvirųjų krūvininkų tankio relaksacijos ypatumai, kuriuos lemia sparčioji rekombinacija ir laike ištęsti prilipimo vyksmai.