[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.4560į
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 45, 471–476 (2005)
NOISE MEASUREMENTS OF InGaAsP /
InP LASER DIODES NEAR THE THRESHOLD CURRENT
E. Šermukšnisa, V. Palenskisa, J. Matukasa,
S. Pralgauskaitėa, J. Vyšniauskasa, K.
Vizbarasa, and R. Baubinasb
aRadiophysics Department, Vilnius University,
Saulėtekio 9, LT-10222 Vilnius, Lithuania
E-mail: emilis.sermuksnis@ff.vu.lt, vilius.palenskis@ff.vu.lt,
jonas.matukas@ff.vu.lt, sandra.pralgauskaite@ff.vu.lt,
juozas.vysniauskas@ff.vu.lt
bInstitute of Materials Science and Applied
Research, Vilnius University, Saulėtekio 9, LT-10222 Vilnius,
Lithuania
Received 2 November 2005
Investigation of noise characteristics of
InGaAsP / InP multiple-quantum-well laser diodes (LDs) near the
threshold current region with the aim to reveal the LD quality and
reliability problems is presented. A low quality and rapid
degradation of particular laser diodes are reflected in noise
characteristics: correlation factor between the optical and
electrical fluctuations just after the threshold has a deep
minimum and even drop to the negative values. The latter values
are caused by leakage currents through the defects which determine
the low quality and reliability of laser diodes. Optical noise
intensity of a semiconductor laser below the threshold (here they
operate as light emitting diodes) is low and the own noise level
of a photodetector and measurement circuit is equal or exceeds it.
In this case the laser diode optical noise has been measured using
the correlation function method that increases optical noise
measurement sensitivity by about three orders of magnitude.
Keywords: laser diode, noise, cross-correlation function,
reliability
PACS: 42.55.Px, 74.40.+k
InGaAsP / InP LAZERINIŲ DIODŲ
TRIUKŠMŲ TYRIMAS SLENKSTINĖS SROVĖS SRITYJE
E. Šermukšnis, V. Palenskis, J. Matukas, S. Pralgauskaitė, J.
Vyšniauskas, K. Vizbaras, R. Baubinas
Vilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva
Išsamiai ištirtos InGaAsP / InP lazerinių diodų
(LD) su daugeliu kvantinių duobių aktyviojoje srityje triukšmų
charakteristikos slenkstinės srovės srityje. LD veika slenkstinės
srovės srityje yra nenuostovi, todėl slenksčio sritis yra labai
jautri LD sandaros ypatybėms, darinyje esantiems defektams, kurie
lemia lazerinio diodo kokybę ir patikimumą. Siekta nustatyti
lazerinių diodų triukšmų charakteristikas priešslenkstinėje,
slenksčio ir poslenkstinėje srityse, išsiaiškinti triukšmų
charakteristikų ypatybių ryšį su tiriamųjų lazerinių diodų kokybe
ir patikimumu.
Lazerinių diodų optinio triukšmo signalas priešslenkstinėje
srityje yra labai silpnas, todėl jo neįmanoma išmatuoti įprastais
triukšmų tyrimų metodais. Optinio triukšmo tyrimui
priešslenkstinėje srityje pritaikius koreliacinį metodą ir
statistinį vidurkinimą, matavimų sistemos jautrį pavyko padidinti
maždaug dviem eilėmis.
Lazerinių diodų, kurių veikos charakteristikos (spinduliuotės
galia, slenkstinė srovė) yra prastesnės ir linkusios sparčiai
blogėti, abipusės koreliacijos koeficientas tarp optinių ir
elektrinių fliuktuacijų po slenksčio sparčiai mažėja nuo teigiamų
verčių ((30–70)%) iki neigiamų. Neigiamas koreliacijos
koeficientas tarp optinių ir elektrinių fliuktuacijų yra būdingas
nuotėkio srovėms. Defektai, lemiantys nuotėkio sroves, taip pat
mažina lazerinių diodų kokybę bei spartina charakteristikų
blogėjimą. Ištirtos triukšmų charakteristikų ypatybės, susijusios
su LD kokybe ir patikimumu, yra būdingos visiems tirtiems InGaAsP
/ InP lazerinių diodams (LD) su daugeliu kvantinių duobių ir
nepriklauso nuo jų tipo (Fabri ir Pero bei lazeriai su paskirstytu
grįžtamuoju ryšiu, lazeriai su keteriniu bangolaidžiu ir
paslėptuoju įvairiatarpiu dariniu).
References / Nuorodos
[1] A. Kaszubowska, P. Anandarajah, and L.P. Barry, Improved
performance of a hybrid radio / fiber system using a directly
modulated laser transmitter with external injection, IEEE Photon.
Technol. Lett. 14, 233–235 (2002),
http://dx.doi.org/10.1109/68.980532
[2] V. Jungnickel, A. Forck, T. Haustein, U. Krüger, V. Pohl, and C.
Von Helmolt, Electronic tracking for wireless infrared
communications, IEEE Trans. Wireless Comm. 2, 989–999
(2003),
http://dx.doi.org/10.1109/TWC.2003.817419
[3] J. Paul, M.W. Lee, and K.A. Shore, 3.5-GHz signal transmission
in an all-optical chaotic communication scheme using 1550-nm diode
lasers, IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 920–921 (2005),
http://dx.doi.org/10.1109/LPT.2004.843281
[4] M. Funabashi, H. Nasu, T. Mukaihara, T. Kimoto, T. Shinagawa, T.
Kise, K. Takaki, T. Takagi, M. Oike, T. Nomura, and A. Kasukawa,
Recent advances in DFB lasers for ultradense WDM applications, IEEE
J. Select. Quantum Electron. 10, 312–320 (2004),
http://dx.doi.org/10.1109/JSTQE.2004.826576
[5] O. Fujita, Y. Nakano, and G. Iwane, Reliability of semiconductor
lasers for undersea optical transmission systems, J. Light. Technol.
LT-3, 1211–1216 (1985),
http://dx.doi.org/10.1109/JLT.1985.1074337
[6] L.K.J. Vandamme, Noise as a diagnostic tool for quality and
reliability of electron devices, IEEE Trans. Electron. Dev. 41,
2176–2187 (1994),
http://dx.doi.org/10.1109/16.333839
[7] B.K. Jones, Electrical noise as a measure of quality and
reliability in electronic devices, Adv. Electron. Electron Phys. 87,
201–257 (1994),
http://dx.doi.org/10.1016/S0065-2539(08)60017-7
[8] H. Guijun, S. Jiawei, Z. Shumei, and Z. Fenggong, The
correlation between the low-frequency electrical noise of high-power
quantum well lasers and devices surface non-radiative current,
Microelectron. Reliab. 42, 153–156 (2002),
http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2714(01)00244-X
[9] S. Pralgauskaitė, V. Palenskis, and J. Matukas, Fluctuations of
optical and electrical parameters of distributed feedback lasers and
their reliability, Fluct. Noise Lett. 4, L365–L374 (2004),
http://dx.doi.org/10.1142/S0219477504001999
[10] J. Matukas, V. Palenskis, M. Olechnovičius, S. Pralgauskaitė,
and E. Šermukšnis, Low-frequency optical and electrical noises in
F–P and DFB InGaAsP / InP laser diodes, Lithuanian J. Phys. 43,
251–258 (2003)
[11] T. Sasaki, H. Yamazaki, N. Henmi, H. Yamada, M. Yamaguchi, M.
Kitamura, and I. Mito, Extremely low threshold current operation in
1.5-pm MQW-DFB laser diodes with semi-insulating InP current
blocking region, J. Light. Technol. 8, 1343–1349 (1990),
http://dx.doi.org/10.1109/50.59163
[12] A.H. Johnston and T.F. Miyahira, Radiation degradation
mechanisms in laser diodes, IEEE Trans. Nucl. Sci. 51,
3564–3571 (2004),
http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2004.839166