INVESTIGATION OF STRUCTURE AND CARRIER RECOMBINATION IN TlGaSe₂ LAYERED CRYSTALS
V. Grivickas^a, V. Bikbajevas^a, M.I. Tarasik^b, and A.K. Fedotov^b
aInstitute of Materials Science and Applied Research, Vilnius University, Saulėtekio 10, LT-10223 Vilnius, Lithuania
E-mail: vytautas.grivickas@ff.vu.lt
^bDepartment of Energy Physics, Belarusian State University, F. Skaryna Ave. 4, 220050 Minsk, Belarus

Received 8 November 2005

Large size TlGaSe₂ layered crystals grown by Bridgman method have been investigated by x-ray microanalysis and scanning electron microscopy. The mechanism of excess free carrier recombination after a high level laser pulse excitation performed in a high quality sample has been investigated. It has been shown that, in high injection region, the carrier lifetime is mainly determined by Auger recombination. The Auger recombination coefficient is established to be about 1·10⁻²⁹ cm⁶/s. In low injection region, minority carrier trapping is observed. The longest exponential majority carrier constant lifetime is equal to 6 ms at 70 K.

STRUKTŪRINIAI BEI KRŪVININKŲ REKOMBINACIJOS TYRIMAI TlGaSe₂ SLUOKSNIUOTUOSE KRISTALUOSE
.V. Grivickas^a, V. Bikbajevas^a, M.I. Tarasik^b, A.K. Fedotov^b
aVilniaus universieto Medžiagotyros ir taikomųjų mokslų institutas, Vilnius, Lietuva
^bBaltarusijos valstybinis universitetas, Minskas, Baltarusija

Didelių matmenų TlGaSe₂ kristalai, išauginti Bridžmano būdu, buvo tiriami skenuojančiu mikroskopu ir analizuojami antrinių rentgeno spindulių spektroskopijos metodu. Perteklinių krūvininkų rekombinacija buvo tiriama žadinant lazerio impulsu, matuojant laisvakrūvę sugerties relaksaciją. Parodyta, kad didelės injekcijos atveju krūvininkų gyvavimo trukmę lemia Ožė rekombinacijos mechanizmas. Gautas Ožė rekombinacijos koeficiento dydis yra apie 10⁻²⁹ cm⁶/s. Mažesnės injekcijos srityje stebimas nepagrindinių krūvininkų prilipimas. Ilgiausia pagrindinių krūvininkų eksponentinės relaksacijos trukmė siekia 6 ms, kai T = 70 K.