[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.46204
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 46, 191–198 (2006)
MODELLING OF GRAIN BOUNDARY
RESISTANCE IN THIN FILMS OF LANTHANUM MANGANITES
V. Petrauskas and E.E. Tornau
Semiconductor Physics Institute, A. Goštauto 11, LT-01108
Vilnius, Lithuania
E-mail: et@pfi.lt
Received 12 December 2005
We present two phenomenological models to
calculate the grain boundary resistance in polycrystalline and
two-phase lanthanum manganites. Using the first model we
demonstrate that it is not the total magnetization, but rather the
difference in magnetization of neighboring magnetic grains that
plays the most important role in temperature dependences of
resistance and magnetoresistance of doped polycrystalline
lanthanum manganites with grain boundaries. Our calculations show
that, in order to obtain the maximum in temperature dependence of
resistance at Tm, grain boundary layers have to
be, at least, weakly ferromagnetic. Increase of the
ferromagneticity of these layers leads to decrease of resistance,
increase of Tm, and decrease of the difference
between Tm and Curie temperature TC.
Increase in the number of grain boundaries also leads to increase
of resistance, but does not affect the value of Tm.
The second model is devoted to relation of resistivity and
magnetization in two-phase thin films of lanthanum manganites.
Every plane is asumed to be a mixture of two ferromagnetic phases
with different magnetizations and concentrations. Thin film,
represented as the system of such planes, is reduced to a circuit
of resistances connected in parallel. The grain boundary
resistivity is expressed as the difference in magnetization of
phases. For such a system we have found that the peak of
resistivity Tm decreases and shifts towards
higher values of temperature with increase of film thickness, the
result which qualitatively agrees with experimental data.
Keywords: colossal magnetoresistance, thin lanthanum
manganite films, ferromagnetism
PACS: 72.25.Mk, 73.40.Gk, 75.47.Lx
TARPGRANULINĖS VARŽOS
MODELIAVIMAS PLONUOSE LANTANO MANGANITŲ SLUOKSNIUOSE
.V. Petrauskas, E.E. Tornau
Puslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva
Feromagnetinės medžiagos, lantano manganitai,
pasižymi vadinamąja milžiniška (colossal) magnetovarža. Pateikti
du modeliai, skirti skaičiuoti varžaiRtarp feromagnetinių granulių
lantano manganituose. Taikoma fenomenologinė formulė, siejanti
varžą, apskaičiuotą krūvininkui tuneliuojant per stačiakampį
barjerą, ir sistemos įmagnetėjimą. Granulių įmagnetėjimas
skaičiuojamas vidutinio lauko metodu.
Pirmasis modelis yra nuosekliai sujungtų feromagnetinių plokštumų
(granulių) sistema, imituojanti polikristalinį lantano manganitą.
Keičiant magnetines plokštumas nemagnetinėmis ar silpnai
magnetinėmis, fiksuojama, kaip pasikeis visos sistemos varža ir
magnetovarža. Nustatyta, kad (a) ne įmagnetėjimas, o įmagnetėjimo
skirtumas tarp kaimyninių granulių yra esminis faktorius, varžos
priklausomybėje nuo temperatūros R(T) lemiantis
varžos smailę; (b) R(T) smailė gaunama tik tada,
kai medžiaga tarp feromagnetinių granulių taip pat yra bent
silpnas (t. y., žemos Kiuri temperatūros) feromagnetikas; (c)
granulių skaičiaus didėjimas mažina varžą, bet nekeičia varžos
maksimumo Tm padėties temperatūros skalėje.
Antrasis modelis skirtas plonų polikristalinių ir epitaksinių
lantano manganitų sluoksnių varžai skaičiuoti. Tai yra dviejų
fazių su skirtingomis feromagnetinėmis savybėmis modelis, nes
tokie sluoksniai visada turi labiau „įtemptas” plokštumas arčiau
padėklo (daug fazės 1, jos koncentracija c1
≫ c2) ir tolimesnes plokštumas, kurių savybės
yra artimesnės trimatės medžiagos savybėms (daug fazės 2,
c2 ≫ c1). Kiekviena plokštuma
yra abiejų feromagnetinių fazių su skirtingais fazių svoriais ir
skirtingais įmagnetėjimais mišinys. Jeigu kiekviena plokštuma būtų
įsivaizduojama kaip varža, o varža skaičiuojama kaip fazių
įmagnetėjimų skirtumas, kaip pirmame modelyje, būtų gaunama
lygiagrečiai sujungtų varžų sistema, iš esmės tinkama plonų
lantano manganitų savitąjai varžai ir magnetovaržai modeliuoti.
Tokiai sistemai buvo parinkti parametrai ir gautas geras sutapimas
su eksperimentiniais duomenimis, t. y., nustatyta, kad, storėjant
sluoksniui, varžos smailė mažėja ir R(T)
priklausomybėje pasislenka link aukštesnių temperatūros verčių.
References / Nuorodos
[1] M.G. Blamire, B.-S. Teo, J.H. Durrell, N.D. Mathur, Z.H. Barber,
J.L. McManus Driscoll, L.F. Cohen, and J.E. Evetts, Strain-induced
time-dependent magnetic disorder in ultra-thin La0.7Sr0.3MnO3,
J. Magn. Magn. Mater. 191, 359–367 (1999),
http://dx.doi.org/10.1016/S0304-8853(98)00375-8
[2] A. de Andres, M. Garcia-Hernandez, and J.L. Martinez, Conduction
channels and magnetoresistance in polycrystalline manganites, Phys.
Rev. B 60, 7328–7334 (1999),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.60.7328
[3] L. Balcells, J. Fontcuberta, B. Martinez, and X. Obradors,
High-field magnetoresistance at interfaces in manganese perovskites,
Phys. Rev. B 58, R14697–R146700 (1998),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.58.R14697
[4] R. Gross, L. Alff, B. Buechner, B.H. Freitag, C. Hoefener, J.
Klein, Y. Lu, W. Mader, J.B. Philipp, M.S.R. Rao, P. Reutler, S.
Ritter, S. Thienhaus, S. Uhlenbruck, and B. Wiedenhorst, Physics of
grain boundaries in the colossal magnetoresistance manganites, J.
Magn. Magn. Mater. 211, 150–159 (2000),
http://dx.doi.org/10.1016/S0304-8853(99)00727-1
[5] S. Ju, K.W. Yu, and Z.Y. Li, Spatially inhomogeneous transport
in phase separated polycrystalline manganites, Phys. Rev B 71,
224401-1–8 (2005),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.71.224401
[6] N. Furukawa, Anomalous shift of chemical potential in the
double-exchange systems, J. Phys. Soc. Jpn. 66, 2523–2524
(1997),
http://dx.doi.org/10.1143/JPSJ.66.2523
[7] M. Viret, L. Ranno, and J.M.D. Coey, Magnetic localization in
mixed-valence manganites, Phys. Rev. B 55, 8067–8070 (1997),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.55.8067
[8] J.G. Simmons, Generalized formula for the electric tunnel effect
between similar electrodes separated by a thin insulating film, J.
Appl. Phys. 34, 1793–1803 (1963),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1702682
[9] M. Mansipuram, The Physical Principles of Magneto-Optical
Recording (Cambridge University Press, 1995),
http://dx.doi.org/10.1017/CBO9780511622472
[10] H.S. Wang, Q. Li, K. Liu, and C.L. Chien, Low field
magnetoresistance anisotropy in ultrathin Pr0.67Sr0.33MnO3
films grown on different substrates, Appl. Phys. Lett. 74,
2112–2114 (1999),
http://dx.doi.org/10.1063/1.123804
[11] G. Herrantz, M. Berkowski, E. Jedrika, M. Wojcik, F. Sanchez,
M. Bibes, and J. Fontcuberta, Charge localization in nanometric La2/3Ca1/3MnO3
thin films grown on nearly matching substrates, J. Appl. Phys. 93,
8065–8067 (2003),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1556938
[12] S. Balevičius, P. Cimmperman, V. Petrauskas, V. Stankevič, E.E.
Tornau, N. Žurauskienė, A. Abrutis, V. Plaušinaitienė, M. Sawicki,
T. Dietl, and M. Aleszkiewicz, Two-phase structure of ultra-thin
La–Sr–MnO films, accepted for publication in Thin Solid Films,
http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.12.240