[PDF]    http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.46204

Open access article / Atviros prieigos straipsnis

Lith. J. Phys. 46, 191–198 (2006)


MODELLING OF GRAIN BOUNDARY RESISTANCE IN THIN FILMS OF LANTHANUM MANGANITES
V. Petrauskas and E.E. Tornau
Semiconductor Physics Institute, A. Goštauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania
E-mail: et@pfi.lt

Received 12 December 2005

We present two phenomenological models to calculate the grain boundary resistance in polycrystalline and two-phase lanthanum manganites. Using the first model we demonstrate that it is not the total magnetization, but rather the difference in magnetization of neighboring magnetic grains that plays the most important role in temperature dependences of resistance and magnetoresistance of doped polycrystalline lanthanum manganites with grain boundaries. Our calculations show that, in order to obtain the maximum in temperature dependence of resistance at Tm, grain boundary layers have to be, at least, weakly ferromagnetic. Increase of the ferromagneticity of these layers leads to decrease of resistance, increase of Tm, and decrease of the difference between Tm and Curie temperature TC. Increase in the number of grain boundaries also leads to increase of resistance, but does not affect the value of Tm. The second model is devoted to relation of resistivity and magnetization in two-phase thin films of lanthanum manganites. Every plane is asumed to be a mixture of two ferromagnetic phases with different magnetizations and concentrations. Thin film, represented as the system of such planes, is reduced to a circuit of resistances connected in parallel. The grain boundary resistivity is expressed as the difference in magnetization of phases. For such a system we have found that the peak of resistivity Tm decreases and shifts towards higher values of temperature with increase of film thickness, the result which qualitatively agrees with experimental data.
Keywords: colossal magnetoresistance, thin lanthanum manganite films, ferromagnetism
PACS: 72.25.Mk, 73.40.Gk, 75.47.Lx


TARPGRANULINĖS VARŽOS MODELIAVIMAS PLONUOSE LANTANO MANGANITŲ SLUOKSNIUOSE
.V. Petrauskas, E.E. Tornau
Puslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva

Feromagnetinės medžiagos, lantano manganitai, pasižymi vadinamąja milžiniška (colossal) magnetovarža. Pateikti du modeliai, skirti skaičiuoti varžaiRtarp feromagnetinių granulių lantano manganituose. Taikoma fenomenologinė formulė, siejanti varžą, apskaičiuotą krūvininkui tuneliuojant per stačiakampį barjerą, ir sistemos įmagnetėjimą. Granulių įmagnetėjimas skaičiuojamas vidutinio lauko metodu.
Pirmasis modelis yra nuosekliai sujungtų feromagnetinių plokštumų (granulių) sistema, imituojanti polikristalinį lantano manganitą. Keičiant magnetines plokštumas nemagnetinėmis ar silpnai magnetinėmis, fiksuojama, kaip pasikeis visos sistemos varža ir magnetovarža. Nustatyta, kad (a) ne įmagnetėjimas, o įmagnetėjimo skirtumas tarp kaimyninių granulių yra esminis faktorius, varžos priklausomybėje nuo temperatūros R(T) lemiantis varžos smailę; (b) R(T) smailė gaunama tik tada, kai medžiaga tarp feromagnetinių granulių taip pat yra bent silpnas (t. y., žemos Kiuri temperatūros) feromagnetikas; (c) granulių skaičiaus didėjimas mažina varžą, bet nekeičia varžos maksimumo Tm padėties temperatūros skalėje.
Antrasis modelis skirtas plonų polikristalinių ir epitaksinių lantano manganitų sluoksnių varžai skaičiuoti. Tai yra dviejų fazių su skirtingomis feromagnetinėmis savybėmis modelis, nes tokie sluoksniai visada turi labiau „įtemptas” plokštumas arčiau padėklo (daug fazės 1, jos koncentracija c1c2) ir tolimesnes plokštumas, kurių savybės yra artimesnės trimatės medžiagos savybėms (daug fazės 2, c2c1). Kiekviena plokštuma yra abiejų feromagnetinių fazių su skirtingais fazių svoriais ir skirtingais įmagnetėjimais mišinys. Jeigu kiekviena plokštuma būtų įsivaizduojama kaip varža, o varža skaičiuojama kaip fazių įmagnetėjimų skirtumas, kaip pirmame modelyje, būtų gaunama lygiagrečiai sujungtų varžų sistema, iš esmės tinkama plonų lantano manganitų savitąjai varžai ir magnetovaržai modeliuoti. Tokiai sistemai buvo parinkti parametrai ir gautas geras sutapimas su eksperimentiniais duomenimis, t. y., nustatyta, kad, storėjant sluoksniui, varžos smailė mažėja ir R(T) priklausomybėje pasislenka link aukštesnių temperatūros verčių.


References / Nuorodos


[1] M.G. Blamire, B.-S. Teo, J.H. Durrell, N.D. Mathur, Z.H. Barber, J.L. McManus Driscoll, L.F. Cohen, and J.E. Evetts, Strain-induced time-dependent magnetic disorder in ultra-thin La0.7Sr0.3MnO3, J. Magn. Magn. Mater. 191, 359–367 (1999),
http://dx.doi.org/10.1016/S0304-8853(98)00375-8
[2] A. de Andres, M. Garcia-Hernandez, and J.L. Martinez, Conduction channels and magnetoresistance in polycrystalline manganites, Phys. Rev. B 60, 7328–7334 (1999),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.60.7328
[3] L. Balcells, J. Fontcuberta, B. Martinez, and X. Obradors, High-field magnetoresistance at interfaces in manganese perovskites, Phys. Rev. B 58, R14697–R146700 (1998),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.58.R14697
[4] R. Gross, L. Alff, B. Buechner, B.H. Freitag, C. Hoefener, J. Klein, Y. Lu, W. Mader, J.B. Philipp, M.S.R. Rao, P. Reutler, S. Ritter, S. Thienhaus, S. Uhlenbruck, and B. Wiedenhorst, Physics of grain boundaries in the colossal magnetoresistance manganites, J. Magn. Magn. Mater. 211, 150–159 (2000),
http://dx.doi.org/10.1016/S0304-8853(99)00727-1
[5] S. Ju, K.W. Yu, and Z.Y. Li, Spatially inhomogeneous transport in phase separated polycrystalline manganites, Phys. Rev B 71, 224401-1–8 (2005),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.71.224401
[6] N. Furukawa, Anomalous shift of chemical potential in the double-exchange systems, J. Phys. Soc. Jpn. 66, 2523–2524 (1997),
http://dx.doi.org/10.1143/JPSJ.66.2523
[7] M. Viret, L. Ranno, and J.M.D. Coey, Magnetic localization in mixed-valence manganites, Phys. Rev. B 55, 8067–8070 (1997),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.55.8067
[8] J.G. Simmons, Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film, J. Appl. Phys. 34, 1793–1803 (1963),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1702682
[9] M. Mansipuram, The Physical Principles of Magneto-Optical Recording (Cambridge University Press, 1995),
http://dx.doi.org/10.1017/CBO9780511622472
[10] H.S. Wang, Q. Li, K. Liu, and C.L. Chien, Low field magnetoresistance anisotropy in ultrathin Pr0.67Sr0.33MnO3 films grown on different substrates, Appl. Phys. Lett. 74, 2112–2114 (1999),
http://dx.doi.org/10.1063/1.123804
[11] G. Herrantz, M. Berkowski, E. Jedrika, M. Wojcik, F. Sanchez, M. Bibes, and J. Fontcuberta, Charge localization in nanometric La2/3Ca1/3MnO3 thin films grown on nearly matching substrates, J. Appl. Phys. 93, 8065–8067 (2003),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1556938
[12] S. Balevičius, P. Cimmperman, V. Petrauskas, V. Stankevič, E.E. Tornau, N. Žurauskienė, A. Abrutis, V. Plaušinaitienė, M. Sawicki, T. Dietl, and M. Aleszkiewicz, Two-phase structure of ultra-thin La–Sr–MnO films, accepted for publication in Thin Solid Films,
http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.12.240