[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.46205
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 46, 199–204 (2006)
TEMPERATURE-DEPENDENT
NONEQUILIBRIUM CARRIER DYNAMICS IN EPITAXIAL AND BULK 4H-SiC
K. Neimontasa, T. Malinauskasa, R.
Aleksiejūnasa, R. Yakimovab, and K.
Jarašiūnasa
aInstitute of Materials Science and Applied
Research, Vilnius University, Saulėtekio 9, LT-10222 Vilnius,
Lithuania
E-mail: karolis.neimontas@ff.vu.lt
bDepartment of Physics and Measurement
Technology, Linkoping University, SE-581 83 Linkoping, Sweden
Received 7 November 2005
We present the results of nonequilibrium
carrier dynamics in highly excited 4H-SiC crystals – n-type
epilayers and semiinsulating wafer. Picosecond four-wave mixing
measurements have been carried out at various grating periods,
excitation energies, temperatures, and have provided the bipolar
diffusion coefficients and lifetimes of nonequilibrium carriers.
We show that the phonon scattering contributes mainly to the
carrier mobility in 100–300 K temperature range, providing μ
∼ T−1.5 dependence. Lattice heating was
observed, and it dominated in refractive index modulation at T
< 100 K, thus precluding the studies of carrier dynamics at low
temperatures.
Keywords: four-wave mixing, carrier mobility, thermal
grating, 4H-SiC
PACS: 72.20.Jv, 78.47.+p
TEMPERATŪRINIAI NEPUSIAUSVIRŲJŲ
KRŪVININKŲ DINAMIKOS TYRIMAI 4H SILICIO KARBIDE
.K. Neimontasa, T. Malinauskasa, R.
Aleksiejūnasa, R. Yakimovab, K. Jarašiūnasa
aMedžiagotyros ir taikomųjų mokslų institutas,
Vilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva
bLinčiopingo universitetas, Linčiopingas,
Švedija
Pirmą kartą temperatūriniams nepusiausvirųjų
krūvininkų dinamikos matavimams pritaikyta keturbangio maišymo
metodika. Išmatuotos bipolinio krūvininkų judrio (difuzijos
koeficiento) ir gyvavimo trukmės priklausomybės nuo temperatūros
silpnai legiruotuose n tipo 4H-SiC epitaksiniuose sluoksniuose
(100–300 K) ir didžiavaržyje kristale (10–300 K). Iš išmatuotų
priklausomybių ∼T−3/2 išaiškėjo, kad pagrindis
krūvininkų sklaidos mechanizmas epitaksiniuose sluoksniuose yra
sklaida fononais visame matuotos temperatūros intervale (100–300
K) ir skirtingo fotosužadinimo sąlygomis (∼5·1017 −
∼1019 cm−3). Didžiavaržyje kristale
pastebėta, kad krūvininkų sklaidą stipriai veikia jonizuotos
priemaišos (∼ T−1,2). Eksperimentiniais ir
skaitmeninio modeliavimo rezultatais parodyta, kad, esant žemai
temperatūrai (T < 100 K), kristalinės gardelės kaitinimas dėl
nespindulinės laisvųjų krūvininkų rekombinacijos ir energijos
perviršio, susidarančio žadinant kristalą šviesos kvantu hν
> Eg, sukelia temperatūrinę lūžio rodiklio
moduliaciją, kuri daro stiprią įtaką difrakcijos efektyvumo
kinetikai. Apskaičiuotas šiluminis difuzijos koeficientas DT
= 1, 8 cm2/s.
References / Nuorodos
[1] S.G. Muller, R. Eckstein, J. Fricke, R. Hofmann, R. Horn, H.
Mehling, and O. Nilsson, Mater. Sci. Forum 623, 264–268
(1998),
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.623
[2] C. Brylinski, in: European Space Components Conference,
pp. 217–224 (2000)
[3] P. Grivickas, J. Linnros, and V. Grivickas, Mater. Sci. Forum 338–342,
671–674 (2000),
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.671
[4] K. Jarasiunas, in: UV Solid-State Light Emitters and
Detectors, NATO Science Series in Mathematics, Physics and
Chemistry, Vol. 144 (Kluwer Academic Publishers, 2004), pp. 93–109,
http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4020-2103-9_7
[5] K. Neimontas, R. Aleksiejūnas, M. Sūdžius, K. Jarašiūnas, and
J.P. Bergman, Mater. Sci. Forum 483–486, 413–416 (2005),
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.413
[6] S.G. Sridhara, R.P. Devaty, and W.J. Choyke, J. Appl. Phys. 84(5),
2963–2964 (1998),
http://dx.doi.org/10.1063/1.368403
[7] J. Vaitkus, K. Jarašiūnas, E. Gaubas, L. Jonikas, R. Pranaitis,
and L. Subačius, IEEE J. Quantum Electronics 22(8),
1298–1306 (1986),
http://dx.doi.org/10.1109/JQE.1986.1073129
[8] H.J. Eichler, F. Massmann, E. Biselli, K. Richter, M. Glotz, L.
Konetzke, and X. Yang, Phys. Rev. B 36(6), 3247–3253 (1987),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.36.3247
[9] J. Singh, Electronic and Optoelectronic Properties of
Semiconductor Structures (Cambridge University Press,
Cambridge, 2003),
http://dx.doi.org/10.1017/CBO9780511805745
[10] T.T. Mnatsakanov, M.E. Levinshtein, L.I. Pomortseva, and S.N.
Yurkov, Semicond. Sci. Technol. 17, 974–977 (2002),
http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/17/9/313
[11] T.T. Mnatsakanov, L.I. Pomortseva, and S.N. Yurkov,
Semiconductors 35(4), 394–397 (2001),
http://dx.doi.org/10.1134/1.1365181
[12] H. Matsuura, M. Komeda, S. Kagamihara, H. Iwata, R. Ishihara,
T. Hatakeyama, T. Watanabe, K. Kojima, T. Shinohe, and K. Arai, J.
Appl. Phys. 96(5), 2708–2715 (2004),
http://dx.doi.org/10.1063/1.1775298
[13] P. Grivickas, J. Linnros, and V. Grivickas, Mater. Sci. Forum 338–342,
671–674 (2000),
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.671
[14] W.J. Shatter, , H.S. Kong, G.H. Negley, and J.W. Palmour, Inst.
Phys. Conf. Ser. 137, 155 (1994)
[15] Advanced Materials Engineered to Perform (Rohm and Haas
Company, 2000),
www.cvdmaterials.com
[16] A. Galeckas, J. Linnros, V. Grivickas, U. Lindefelt, and C.
Hallin, Appl. Phys. Lett. 71(22), 3269–3271 (1997),
http://dx.doi.org/10.1063/1.120309
[17] V.C. Anjos, M.J.V. Bell, E.A. Vasconcelos, E.F. Silva, A.
Andrade, R. Franco, M.P. Castro, I. Esquef, and R. Faria, Mater.
Sci. Forum (to be published in 2006),
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.703