INFLUENCE OF ENERGY BAND DISTORTION ON THE HALL EMF IN BIPOLAR SEMICONDUCTORS
A. Konin
Semiconductor Physics Institute, A. Gošštauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania
E-mail: konin@pfi.lt

Received 24 March 2006

A theory of the Hall electromotive force (emf) in bipolar semiconductors accounting for the boundary conditions in a real metal–semiconductor junction and distortion of energy bands near semiconductor surface is presented. It is shown that the Hall emf essentially depends on the surface potential under certain sample surface and bulk parameters.

Keywords: the Hall electromotive force (emf), equilibrium built-in electric field, diffusion-recombination (DR) mode,
screening (S) mode

ENERGIJOS JUOSTŲ IŠKRAIPYMO ĮTAKA HOLO ELEKTROVARAI BIPOLINIUOSE
PUSLAIDININKIUOSE
A. Konin
Puslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva

Pateikiama Holo elektrovaros (EV) teorija, kurioje atsižvelgta į nepusiausvirojo krūvininkų tankio ir elektrinio potencialo kraštines sąlygas realioje metalo ir puslaidininkio sandūroje ir energijos juostų kreivumą puslaidininkio paviršiuje. Įrodyta, kad plonesniuose už difuzijos ilgį bandiniuose, jei paviršinės rekombinacijos sparta nedidelė, Holo EV priklauso nuo paviršiaus elektrinio potencialo.