DISTRIBUTION OF IMPURITIES IN THE BASES OF HIGH VOLTAGE Si DIODES*
R. Pūras, S. Sakalauskas, J. Vaitkus, and Z. Vaitonis
Vilnius University, Saulėtekio 9, LT-10222 Vilnius, Lithuania
E-mail: romualdas.puras@ff.vu.lt

Received 29 September 2005

Spatial distribution of impurities in the base of high voltage planar diodes with additionally incorporated Au atoms (p–n junction area from 1 to 270 mm²) was inferred according the capacitance–voltage (C–U) characteristics measured by industrial capacitance meters. The capacitance divider and linearly varying voltage method (with the amplitude up to 1000 V) were additionally used to extend the operation of capacitance meters to a wider frequency range and to eliminate the influence of reverse current. We had found a nonuniform distribution of dopants (Au atoms) in the diode base, which are introduced to improve the frequency characteristics of the diodes.

Keywords: high voltage planar diode, impurity distribution in diode bases, capacitance–voltage characteristics, reverse current

PRIEMAIŠŲ PASISKIRSTYMAS AUKŠTOSIOS ĮTAMPOS Si DIODŲ BAZĖSE
R. Pūras, S. Sakalauskas, J. Vaitkus, and Z. Vaitonis
Vilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva

Pateikti pramoninių aukštosios įtampos diodų priemaišų pasiskirstymo jų bazės srityse tyrimai. Tyrimams buvo panaudoti plokščiosios sandaros diodai, kurių p–n sandūrų plotai kito nuo 1 iki 270 mm². Priemaišų pasiskirstymo dėsningumai diodų bazėse buvo nustatyti iš jų voltfaradinių (C–U) kreivių. C–U kreivės buvo matuotos pramoniniais talpos matuokliais. Siekiant patikslinti jų ypatumus plačioje dažnių juostoje ir pašalinti atgalinių srovių įtaką, buvo panaudoti talpinio daliklio ir tiesiškai kintančios įtampos (amplitudės siekė 1000 V) būdai. Pastebėtas nevienalytis priemaišų pasiskirstymas diodų bazėse, susijęs su priemaišiniais aukso atomais, kurie buvo įterpti į diodų bazes, siekiant pagerinti minėtų diodų dažnines charakteristikas.