DOSE-DEPENDENT RECOMBINATION IN SILICON IRRADIATED BY GAMMA RAYS AS DETERMINED BY MICROWAVE ABSORPTION TRANSIENTS
J. Vaitkus^a, Z. Li^b, J. Härkönen^c, and E. Gaubas^a
aInstitute of Materials Science and Applied Research, Vilnius University, Saulėtekio 10, LT-10223 Vilnius, Lithuania
E-mail: eugenijus.gaubas@ff.vu.lt
^bBrookhaven National Laboratory, Upton, NY 11973-5000, USA
^cHelsinki Institute of Physics, Helsinki University, Finland and CERN / PH, 1211 Geneva, Switzerland

Received 14 September 2006

Variation of carrier lifetime in magnetic Czochralski and float zone silicon irradiated with Co-60 γ-rays was investigated for doses in the range from 50 to 400 MRad. The inverse carrier lifetime was found to increase approximately linearly with dose and the carrier capture cross-section has been determined. The recombination and trapping constituents within recombination transients have been distinguished by combining analyses of the excess carrier decays measured using microwave absorption by free carriers for different excitation conditions and temperatures. The activation energies of traps and recombination centres have been determined from the carrier lifetime dependence on temperature.

KRŪVININKŲ REKOMBINACIJOS DOZINIAI KITIMAI γ SPINDULIUOTE APŠVITINTAME Si, IŠTIRTI NENUOSTOVIOSIOS MIKROBANGŲ SUGERTIES BŪDU
J. Vaitkus^a, Z. Li^b, J. Härkönen^c, E. Gaubas^a
aVilniaus universiteto Medžiagotyros ir taikomųjų mokslų institutas, Vilnius, Lietuva
^bBrukheiveno nacionalinė laboratorija, Aptonas, Niujoroko valstija, JAV
^cHelsinkio universitetas, Helsinkis, Suomija ir CERN, Ženeva, Šveicarija

Ištirti rekombinacijos parametrų doziniai ir temperatūriniai kitimai Si, apšvitintame γ spinduliuote, siekiant atskleisti vyraujančių radiacinių defektų susidarymo ypatumus. Aptikta, kad nepusiausvirųjų krūvininkų tankio relaksacijos būdingos trukmės mažėja kvazitiesiškai su γ spinduliuotės apšvitos doze. Krūvininkų tankio relaksacijos sandai sietini su rekombinacijos bei prilipimo vyksmais ir lemia ryškius trukmių kitimus, kaitaliojant bandinio temperatūrą tarp 100 ir 350 K. Temperatūrinės aktyvacijos spektre aptiktos efektinės trukmės kitimų smailės, iš kurių įvertinti krūvininkų gaudyklių parametrai. Aptariami vyraujantys radiaciniai defektai sietini su aptiktais rekombinacijos būdingųjų dydžių kitimais.