A GRADED-GAP X-RAY DETECTOR WITH CHARGE AVALANCHE MULTIPLICATION
L. Dapkus, V. Jasutis, V. Jucienė, J. Požela, K. Požela, and A. Šilėnas
Semiconductor Physics Institute, A. Goštauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania
E-mail: pozela@pfi.lt

Received 31 October 2006

Current response of graded-gap Al_xGa_1–xAs X-ray detector is experimentally investigated. An increase in sensitivity of the detectors is achieved using a charge avalanche multiplication effect in a narrow region of a p-Al_xGa_1–xAs/n-GaAs heterojunction. The graded-gap Al_xGa_1–xAs X-ray detector with charge avalanche multiplication has been developed. The sensitivity of this new type detector at a bias voltage U = 1.5 V reaches 2.5 A/W. That is fifty times higher in comparison with the sensitivity of the detector without charge multiplication (U = 0).

Keywords: X-ray detectors, graded-gap Al_xGa_1–xAs structures

VARIZONINIS RENTGENO SPINDULIUOTĖS DETEKTORIUS SU GRIŪTINIU KRŪVIO DAUGINIMU
L. Dapkus, V. Jasutis, V. Jucienė, J. Požela, K. Požela, A. Šilėnas
Puslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva

Eksperimentiškai tirtas varizoninių Al_xGa_1–xAs Rentgeno spinduliuotės detektorių srovės atsakas. Siekiant padidinti detektorių jautrį, panaudotas krūvininkų griūtinio dauginimo efektas p-Al_xGa_1–xAs/n-GaAs sandūros srityje. Sukurtas varizoninis Rentgeno spinduliuotės detektorius su griūtiniu krūvio dauginimu. Naujo detektoriaus srovės atsako jautris, esant postūmio įtampai U = 1,5 V, siekia 2,5 A/W. Šis dydis yra apie 50 kartų didesnis už Rentgeno spinduliuotės detektorių, kuriuose nėra krūvio dauginimo (U = 0), jautrį.