DYNAMIC C–V CHARACTERISTICS OF MOS STRUCTURES
S. Sakalauskas^a and Z. Vaitonis^b
aFaculty of Physics, Vilnius University, Saulėtekio 9, LT-10222 Vilnius, Lithuania
^bInstitute of Materials Science and Applied Research, Vilnius University, Saulėtekio 9, LT-10222 Vilnius, Lithuania
E-mail: zenonas.vaitonis@ff.vu.lt

Received 23 June 2007; revised 20 September 2007; accepted 21 November 2007

Dynamic C–V characteristics of metal–SiO₂–semiconductor (MOS) structures with p-type semiconductor, made by different technologies, were investigated in this work. Voltage–capacitance characteristics of the structures were measured by linearly varying voltage method. Theoretic and experimental analysis of the method revealed peculiarities of its application. It was determined that dynamic C–V characteristics of the MOS structures have a peak of the capacitance (wider or narrower), its value being higher than capacitance of SiO₂ layer, when the mode of operation changes from depletion to inversion. That character of voltage–capacitance characteristics is determined by redistribution of charge carriers in the heterojunction Si–SiO₂ and recharging rapidity of surface states.

Keywords: linearly varying voltage, MOS structure, C–V characteristics

DINAMINĖS MOP DARINIŲ C–V CHARAKTERISTIKOS
S. Sakalauskas, Z. Vaitonis
Vilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva

Pateikti skirtingomis technologijomis suformuotų MOP darinių su skylinio laidumo puslaidininkiu dinaminių C–V charakteristikų tyrimo rezultatai. Darinių voltfaradinės charakteristikos buvo matuojamos tiesiškai kintančios įtampos metodu, kurio teorinė ir eksperimentinė analizė atskleidė jo taikymo ypatumus. Tyrimo metu nustatyta, kad MOP darinių dinaminės C–V charakteristikos turi charakteringą talpos smailę (siauresnę ar platesnę), pereinant iš nuskurdinimo į inversinį veikos režimą. Tokį voltfaradinių charakteristikų pobūdį nulemia krūvininkų persiskirstymas nevienalytėje sandūroje Si–SiO2 ir paviršinių būsenų persielektrinimo sparta.