CHARACTERISTICS OF SURFACE RECOMBINATION IN SILICON DIODE ISOLATION GROOVES*
E. Gaubas^a, T. Čeponis^b, D. Šalucha^b,c, I. Šimkienė^c, and A. Uleckas^a
aInstitute of Materials Science and Applied Research, Vilnius University, Saulėtekio 10, LT-10223 Vilnius, Lithuania
E-mail: eugenijus.gaubas@ff.vu.lt
^bJoint Stock Company “Vilniaus Ventos Puslaidininkiai”, Ateities 10, LT-08303 Vilnius, Lithuania
^cSemiconductor Physics Institute, A. Goštauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania

Received 9 July 2007; revised 14 September 2007; accepted 21 November 2007

Carrier surface recombination characteristics are investigated in silicon high voltage diodes with glass isolated grooves by microwave probed photoconductivity transients (MW-PCT) combining different excitation depths within the layered device structures. Comparative analysis of recombination parameters in the device isolation grooves and layered wafers passivated by iodine–ethanol solutions is performed to evaluate surface recombination rates. It has been revealed that electrochemical etching–glass melting steps involved within the passivation technological procedures for fabrication of diode isolation grooves induce a decrease of surface recombination velocity from 3·10³ to 10 cm/s.

Keywords: carrier lifetime, surface recombination, glass passivated isolation grooves, silicon high voltage devices

PAVIRŠINĖS REKOMBINACIJOS BŪDINGIEJI DYDŽIAI PASYVUOTUOSE Si DIODŲ IZOLIAVIMO GRIOVELIUOSE
E. Gaubas^a, T. Čeponis^b, D. Šalucha^b,c, I. Šimkienė^c, A. Uleckas^a
aVilniaus universiteto medžiagotyros ir taikomųjų mokslų institutas, Vilnius, Lietuva
^bAkcinė bendrovė „Vilniaus Ventos puslaidininkiai”, Vilnius, Lietuva
^cPuslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva

Aptikta, kad pasyvuojant ir izoliuojant griovelio paviršių krūvininkų efektinė gyvavimo trukmė kinta nuo 10 iki 300 µs. Tai atitinka paviršinės rekombinacijos greičio sumažėjimą nuo 6·10³ iki 10 cm/s. Įvertinta elektrocheminio pasyvavimo senėjimo įtaka stiklu izoliuoto griovelio paviršinės rekombinacijos charakteristikoms.