[PDF]    http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.47104

Open access article / Atviros prieigos straipsnis

Lith. J. Phys. 47, 69–73 (2007)


ELECTRICAL PROPERTIES OF ITO(IO)/Fe3O4 HETEROSTRUCTURES
K. Šliužienė, V. Lisauskas, V. Pyragas, R. Butkutė, V. Stankevič, and B. Vengalis
Semiconductor Physics Institute, A. Goštauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania
E-mail: krista@pfi.lt

Received 13 December 2006

We describe the preparation and investigation of a heterostructure consisting of electron-doped indium tin oxide (ITO), hole-doped magnetite, Fe3O4, and intermediate thin indium oxide (IO) layer. The heterostructures were grown on lattice-matched ZrO2:Y2O3(100) substrates using dc magnetron sputtering technique. Electrical resistance of the ITO(IO) / Fe3O4 heterostructure was investigated at T = 78–300 K by applying three-probe method with current passing perpendicularly to a film plane. Off-plane resistance of the ITO(IO)/Fe3O4 heterostructures exhibited semiconductor-like behaviour and nonlinear current–voltage characteristics at 78 K.
Keywords: indium tin oxide, iron oxide, magnetron sputtering, pn heterostructure
PACS: 68.55.-a, 75.50.Gg, 73.40.Cg, 73.40.Lq


ELEKTRINĖS ITO(IO)/Fe3O4 DARINIŲ SAVYBĖS
K. Šliužienė, V. Lisauskas, V. Pyragas, R. Butkutė, V. Stankevič, B. Vengalis
Puslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva

Buvo siekiama surasti atskirų plonųjų sluoksnių – elektroniniu elektriniu laidumu pasižyminčio alavo oksido In2O3, indžio su alavo priemaiša oksido (ITO), p tipo Fe3O4 (magnetito), taip pat jų pn darinių – palankiausias auginimo sąlygas, naudojant nuolatinės srovės magnetroninio dulkinimo būdą. Straipsnyje išanalizuota įvairių technologinių parametrų įtaka Fe3O4 sluoksnių, augintų ant įvairių padėklų, kristalinei sandarai ir elektrinėms savybėms. Pastebėta, kad tų sluoksnių fazinė sudėtis ir kristalinė sandara labiausiai priklauso nuo Fe:O2 santykio dujinėje fazėje virš auginamojo sluoksnio paviršiaus. ITO(IO) ir Fe3O4 sluoksnių ribos elektrinės varžos priklausomybės buvo matuojamos 78–300 K temperatūros ruože, naudojant trijų elektrodų metodą, kai srovė teka iš vieno sluoksnio į kitą. Žeminant temperatūrą, užaugintų pn darinių sluoksnių ribos varža didėjo, o jos IU charakteristikos, išmatuotos 78 K temperatūroje pralaidžiąja ir atbuline kryptimis, buvo netiesinės ir nesimetriškos.


References / Nuorodos


[1] M. Ziese, Extrinsic magnetotransport phenomena in ferromagnetic oxides, Rep. Prog. Phys. 65(2), 143–249 (2002),
http://dx.doi.org/10.1088/0034-4885/65/2/202
[2] V. Lisauskas, V. Pyragas, K. Šliužienė, and B. Vengalis, Investigation of oxygen diffusion in epitaxial In2O3⟨Sn⟩ films by in situ resistivity measurements, Lithuanian J. Phys. 42(1), 47–51 (2002).
[3] G.Q. Gong, A. Gupta, G. Xiao, W. Qiann, and V.P. Dravid, Magnetoresistance and magnetic properties of epiatxial magnetite thin films, Phys. Rev. B 56(9), 5096–5099 (1997),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.56.5096
[4] S.B. Ogale, K. Ghosh, R.P. Sharma, R.L. Greene, R. Remesh, and T. Venkatesen, Magnetotransport anisotropy effect in epitaxial magnetite Fe3O4 thin films, Phys. Rev. B 57(13), 7823–7828 (1998),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.57.7823
[5] S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1969)