[PDF]
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.47104
Open access article / Atviros prieigos straipsnis
Lith. J. Phys. 47, 69–73 (2007)
ELECTRICAL PROPERTIES OF
ITO(IO)/Fe3O4 HETEROSTRUCTURES
K. Šliužienė, V. Lisauskas, V. Pyragas, R. Butkutė, V. Stankevič,
and B. Vengalis
Semiconductor Physics Institute, A. Goštauto 11, LT-01108
Vilnius, Lithuania
E-mail: krista@pfi.lt
Received 13 December 2006
We describe the preparation and
investigation of a heterostructure consisting of electron-doped
indium tin oxide (ITO), hole-doped magnetite, Fe3O4,
and intermediate thin indium oxide (IO) layer. The
heterostructures were grown on lattice-matched ZrO2:Y2O3(100)
substrates using dc magnetron sputtering technique. Electrical
resistance of the ITO(IO) / Fe3O4 heterostructure was investigated
at T = 78–300 K by applying three-probe method with
current passing perpendicularly to a film plane. Off-plane
resistance of the ITO(IO)/Fe3O4
heterostructures exhibited semiconductor-like behaviour and
nonlinear current–voltage characteristics at 78 K.
Keywords: indium tin oxide, iron oxide,
magnetron sputtering, p–n heterostructure
PACS: 68.55.-a, 75.50.Gg, 73.40.Cg, 73.40.Lq
ELEKTRINĖS ITO(IO)/Fe3O4
DARINIŲ SAVYBĖS
K. Šliužienė, V. Lisauskas, V. Pyragas, R. Butkutė, V.
Stankevič, B. Vengalis
Puslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva
Buvo siekiama surasti atskirų plonųjų sluoksnių
– elektroniniu elektriniu laidumu pasižyminčio alavo oksido In2O3,
indžio su alavo priemaiša oksido (ITO), p tipo Fe3O4
(magnetito), taip pat jų p–n darinių –
palankiausias auginimo sąlygas, naudojant nuolatinės srovės
magnetroninio dulkinimo būdą. Straipsnyje išanalizuota įvairių
technologinių parametrų įtaka Fe3O4
sluoksnių, augintų ant įvairių padėklų, kristalinei sandarai ir
elektrinėms savybėms. Pastebėta, kad tų sluoksnių fazinė sudėtis
ir kristalinė sandara labiausiai priklauso nuo Fe:O2
santykio dujinėje fazėje virš auginamojo sluoksnio paviršiaus.
ITO(IO) ir Fe3O4 sluoksnių ribos elektrinės
varžos priklausomybės buvo matuojamos 78–300 K temperatūros ruože,
naudojant trijų elektrodų metodą, kai srovė teka iš vieno
sluoksnio į kitą. Žeminant temperatūrą, užaugintų p–n
darinių sluoksnių ribos varža didėjo, o jos I–U
charakteristikos, išmatuotos 78 K temperatūroje pralaidžiąja ir
atbuline kryptimis, buvo netiesinės ir nesimetriškos.
References / Nuorodos
[1] M. Ziese, Extrinsic magnetotransport phenomena in ferromagnetic
oxides, Rep. Prog. Phys. 65(2), 143–249 (2002),
http://dx.doi.org/10.1088/0034-4885/65/2/202
[2] V. Lisauskas, V. Pyragas, K. Šliužienė, and B. Vengalis,
Investigation of oxygen diffusion in epitaxial In2O3⟨Sn⟩
films by in situ resistivity measurements, Lithuanian J.
Phys. 42(1), 47–51 (2002).
[3] G.Q. Gong, A. Gupta, G. Xiao, W. Qiann, and V.P. Dravid,
Magnetoresistance and magnetic properties of epiatxial magnetite
thin films, Phys. Rev. B 56(9), 5096–5099 (1997),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.56.5096
[4] S.B. Ogale, K. Ghosh, R.P. Sharma, R.L. Greene, R. Remesh, and
T. Venkatesen, Magnetotransport anisotropy effect in epitaxial
magnetite Fe3O4 thin films, Phys. Rev. B 57(13),
7823–7828 (1998),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.57.7823
[5] S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New
York, 1969)