[PDF]    http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.48205

Open access article / Atviros prieigos straipsnis

Lith. J. Phys. 48, 145–154 (2008)


XPS AND ELECTRONIC STRUCTURE OF FERROELECTRIC Sn2P2S6 CRYSTALS
J. Grigasa, E. Talikb, V. Lazauskasc, Yu.M. Vysochanskiid, R. Yevychd, M. Adamiecb, and V. Nelkinasc
aFaculty of Physics, Vilnius University, Saulėtekio 9, LT-10222 Vilnius, Lithuania
E-mail: jonas.grigas@ff.vu.lt
bInstitute of Physics, Silesian University, Universytetska 4, 40-007 Katowice, Poland
cInstitute of Theoretical Physics and Astronomy of Vilnius University, A. Goštauto 12, LT-01108 Vilnius, Lithuania
dUzhgorod University, Pidhirna 46, UA-88000 Uzhgorod, Ukraine

Received 17 March 2008; revised 15 May 2008; accepted 9 June 2008

Electronic properties of uniaxial ferroelectric Sn2P2S6 single crystal are studied by X-ray photoelectron spectroscopy. X-ray photoelectron spectra (XPS) of the valence band (VB) and of the principal core levels (CL) are obtained from different crystallographic planes in both paraelectric and ferroelectric phases. The XPS were measured with monochromatized Al Ka radiation in the energy range 0–1400 eV. The VB consists of five bands with the maxima between 3.3 and 14.5 eV below the Fermi level. Experimental energies of the VB and core levels are compared with results of theoretical ab initio calculations of molecular model of the Sn2P2S6 crystal. Electronic structure of the VB is revealed. Ferroelectric phase transition changes atom’s charge and bonds strength, VB electronic structure, CL lines width, and chemical shifts for the Sn, P, and S states which are crystallographic plane-dependent.
Keywords: Sn2P2S6, ferroelectric, crystals, XPS, electronic structure
PACS: 71.20.-b, 77.84.-s, 78.70.En, 79.60.-i


FEROELEKTRINIŲ Sn2P2S6 KRISTALŲ RENTGENO FOTOELEKTRONINIAI SPEKTRAI IR
ELEKTRONINĖ SANDARA
J. Grigasa, E. Talikb, V. Lazauskasc, Yu.M. Vysochanskiid, R. Yevychd, M. Adamiecb, V. Nelkinasc
aVilniaus universitetas, Vilnius, Lietuva
bSilezijos universiteto Fizikos institutas, Katovicai, Lenkija
cVilniaus universiteto Teorinės fizikos ir astronomijos institutas, Vilnius, Lietuva
dUžgorodo universitetas, Užgorodas, Ukraina

Rentgeno fotoelektronų spektroskopija ištirtos elektroninės vienašių feroelektrinių Sn2P2S6 monokristalų savybės. Gauti valentinės juostos (VJ) ir svarbiausių gilių lygmenų paraelektrinės ir feroelektrinės fazių spektrai nuo įvairių kristalografinių plokštumų. Fotoelektronų sužadinimo šaltinis buvo Al K 1486,6 eV monochromatinė spinduliuotė. Sužadintų fotoelektronų spektrai matuoti energijos ruože nuo 0 iki 1400 eV. Eksperimentiškai gautos fotoelektronų energijos yra palygintos su teorinių ab initio skaičiavimų rezultatais molekuliniam Sn2P2S6 kristalo modeliui. Apskaičiuota ir eksperimentiškai patvirtinta kristalo VJ sandara abiejose fazėse. VJ sudaro penkios juostos, o jų smailės yra nuo 3,3 eV iki 14,5 eV žemiau Fermio lygmens. Įvertinti Sn, S ir I atomų cheminiai poslinkiai. Ištirta feroelektrinio fazinio virsmo įtaka VJ sandarai ir gilių lygmenų spektrams. Nustatyta, kaip fazinis virsmas keičia atomų krūvius, ryšių stiprius, VJ elektroninę sandarą ir gilių lygmenų juostų pločius bei Sn, S ir I atomų cheminius poslinkius, kurie priklauso nuo kristalografinės plokštumos.


References / Nuorodos


[1] J. Grigas, E. Talik, and V. Lazauskas, X-ray photoelectron spectroscopy of Sb2S3 crystals, Phase Transitions 75, 323 (2002),
http://dx.doi.org/10.1080/01411590290020448
[2] J. Grigas, E. Talik, and V. Lazauskas, X-ray photoelectron spectra and electronic structure of Bi2S3 crystals, Phys. Status Solidi B 232, 220 (2002),
http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(200208)232:2<220::AID-PSSB220>3.0.CO;2-F
[3] J. Grigas, E. Talik, and V. Lazauskas, X-ray photoelectron spectroscopy of ferroelectric semiconductor SbSI crystals, Lithuanian J. Phys. 44, 427 (2004),
http://dx.doi.org/10.3952/lithjphys.44603
[4] J. Grigas, E. Talik, M. Adamiec, V. Lazauskas, and V. Nelkinas, XPS and electronic structure of quasi-one-dimensional BiSI crystals, J. Electron Spectrosc. Related Phenom. 153, 22 (2006),
http://dx.doi.org/10.1016/j.elspec.2006.06.001
[5] J. Grigas, E. Talik, M. Adamiec, and V. Lazauskas, X-ray photoelectron spectra and electronic structure of quasi-one-dimensional SbSeI crystals, Cond. Matter Phys. 10, 101 (2007),
http://dx.doi.org/10.5488/CMP.10.1.101
[6] Yu.M. Vysochanskii, T. Janssen, R. Currat, R. Folk, J. Banys, J. Grigas, and V. Samulionis, Phase Transitions in Ferroelectric Phosphorous Chalcogenide Crystals (Vilnius University Publishing House, Vilnius, 2006),
[Researchgate]
[7] J. Grigas, Splitting of the soft mode in a double well potential of SbSI, Ferroelectrics 226, 51 (1999),
http://dx.doi.org/10.1080/00150199908230289
[8] K. Kuepper, B. Shneider, V. Caciuc, M. Neumann, A.V. Postnikov, A. Ruediger, A.A. Grabar, and Yu.M. Vysochanskii, Electronic structure of Sn2P2S6, Phys. Rev. B 67, 115101 (2003),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.67.115101
[9] Gaussian Basis Sets for Molecular Calculations, ed. S. Huzinaga (Elsevier, Amsterdam, 1984),
http://store.elsevier.com/product.jsp?isbn=9780444596475
[10] M.W. Schmidt, K.K. Baldrige, J.A. Boatz, et al., General atomic and molecular electronic structure system, J. Comput. Chem. 14, 1347 (1993),
http://dx.doi.org/10.1002/jcc.540141112
[11] C.J. Pickard and M.C. Payne, Extrapolative approaches to Brillouin-zone integration, Phys. Rev. B 59, 4685 (1999),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.59.4685
[12] K.Z. Rushchanskii, Yu.M. Vysochanskii, and D. Strauch, Ferroelectricity, nonlinear dynamics and relaxation effects in monoclinic Sn2P2S6, Phys. Rev. Lett. 99, 207601 (2007),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.99.207601
[13] A. Tejeda, R. Cortés, J. Lobo-Checa, C. Didiot, B. Kierren, D. Malterre, E.G. Michel, and A. Mascaraque, Structural origin of the Sn 4d core level line shape in Sn Ge(111)-(3×3), Phys. Rev. Lett. 100, 026103 (2008),
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.100.026103