Review

SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR ULTRAFAST OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
A. Krotkus^a, K. Bertulis^a, R. Adomavičius^a, V. Pačebutas^a, and A. Geižutis^a,b
aSemiconductor Physics Institute, A. Goštauto 11, LT-01108 Vilnius, Lithuania
E-mail: andrejus@opel2.p.lt
^bDepartment of Electronic Systems, Vilnius Gediminas Technical University, Naugarduko 41, LT-03227 Vilnius, Lithuania

Received 21 September 2009; revised 17 November 2009; accepted 18 December 2009

The paper presents a review of experimental investigations of various semiconductor materials used for the development of ultrafast optoelectronic devices activated by femtosecond laser pulses that have been performed at the Optoelectronics Laboratory of the Semiconductor Physics Institute during the period from 1997 to 2008. Technology and physical characteristics of low-temperature-grown GaAs and GaBiAs layers as well as the effect of terahertz radiation from the femtosecond laser excited semiconductor surfaces are described and analysed.

Keywords: THz time domain spectroscopy, low temperature grown GaAs, low temperature grown GaBiAs, photoconductor antenna

PUSLAIDININKINĖS MEDŽIAGOS ULTRASPARČIAJAI OPTOELEKTRONIKAI
A. Krotkus^a, K. Bertulis^a, R. Adomavičius^a, V. Pačebutas^a, A. Geižutis^a,b
aPuslaidininkių fizikos institutas, Vilnius, Lietuva
^bVilniaus Gedimino technikos universitetas, Vilnius, Lietuva

Pateikta įvairių puslaidininkinių medžiagų, naudojamų kuriant ultrasparčius optoelektronikos prietaisus, žadinamus femtosekundiniais lazeriais, eksperimentinių tyrimų apžvalga. Tyrimai atlikti Puslaidininkių fizikos instituto Optoelektronikos laboratorijoje 1997–2008 metais. Aprašyta žemoje temperatūroje augintų GaAs ir GaBiAs sluoksnių technologija ir fizikinės savybės. Išsamiai aptartas ir išanalizuotas THz spinduliuotės generavimas iš femtosekundiniu lazeriu sužadintų puslaidininkių paviršiaus.